Автори

Володимир Степанович Осадчук
Вінницький національний технічний університет

Мікроелектронні сенсори температури з частотним виходом

Монографія, Вінниця: УНІВЕРСУМ-Вінниця, 2007, 163 с., ISBN 978-966-641-214-3

Анотація

В монографії подано основи побудови мікроелектронних перетворювачів температури з частотним виходом на основі реактивних властивостей транзисторних структур з від’ємним опором. Проведено аналіз і визначено фізичні явища, які відповідають за реактивні властивості біполярних та МДН-транзисторів. Розглянуто принципи побудови, електричні схеми і експериментальні дослідження основних параметрів перетворювачів температури.
Монографія розрахована на наукових та інженерно-технічних працівників, які займаються проектуванням і розробкою мікроелектронних перетворювачів температури, а також на аспірантів та студентів вищих технічних навчальних закладів.

Посилання

1. Стучебников В.М. Микроэлектронные датчики за рубежом // Приборы
и системы управления. – 1993. – № 1. – С.18 – 20.
2. Стучебников В.М. Маркетинг микроэлектронных датчиков // Зару-
бежная радиоэлектроника. – 1991. – № 8. – С.3 – 6.
3. Романов В.П. Перспективы развития полупроводниковых датчиков и
измерителей температуры // Электронные компоненты и системы.
–2001. –№ 4. – С.7–8.
4. Вершин В.Е. Интегральные термодатчики и термоконтроллеры.
– 1998. –№ 4. – С.41 – 45.
5. Температурные датчики, интерфейсы, супервизоры // Электронные
компоненты и системы. – 2000. – № 10 (38). – С. 21 – 27.
6. Голуб В. Датчики // Электронные компоненты и системы. –1998.–№8.
– С.5–10.
7. Новиков В.Н., Пронкина А.Е. Тонкопленочные терморезисторы по-
вышенной точности с отрицательным температурным коэффициентом
сопротивления // Приборы и системы управления. – 1991. – № 5.
– С. 29 – 30.
8. Захаров В.И., Гусев Ю.А., Олекс А.О. Оксидно-полупроводниковые
толстопленочные терморезисторы // Приборы и системы управления.
– 1991. – № 5. – С.33 – 35.
9. Устюжанинов В.Н., Фролова Т.Н., Крячков В.А. Метрологические ха-
рактеристики терморезисторов на основе синтетического полупровод-
никового алмаза // Изв. вузов. Приборостроение. – 1999. – Т. 42. – № 9.
– С.46 – 49.
10. Васин О.И., Климов А.Э., Кривопалов Д. В., Неизвестный И. Г., Пе-
тиков Н.И., Шумский В.Н. Датчик температуры на диапазон 4,2÷300 К
// Приборы и техника эксперимента. – 1992. –№ 4. – С. 243.
11. Раевский И.П., Медведев Ф.К., Малицкая М.А., Тесленко С.П., Пол-
тавцев В.Г., Трусова С А. Использование варисторов в качестве чувст-
вительных элементов датчиков температуры с линейной характери-
стикой // Приборы и системы управления. – 1991. – № 6. – С.23 - 24.
12. Голуб В. Термисторы // Электронные компоненты и системы. – 1999.
– № 8 (24). – С. 6 – 10.
13. Датчики и преобразователи на основе мембранной технологии //
Электронная промышленность. – 1992. – № 6. – С. 42 – 43.
14. Соколова А.А., Смыслов В.И., Суханова Н.Н. Микроэлектронные
датчики температуры на основе полупроводниковых материалов //
Приборы и системы управления. – 1993. – № 8. – С. 6 – 7.
15. Хан В.П., Вахрамеев В.В., Махонин Е.А. Датчик температуры на пе-
реключающих элементах из халькогенидных полупроводников // При-
боры и техника эксперимента. – 1992. – № 3. – С.216 – 218.
154
16. Пат. 9808 УКРАЇНА, МКІ G 01 K 7/22. Давач температури / С.С. Вар-
шава, Л.М. Пелех, А.М. Чекаєв, К.С. Щербай (УКРАЇНА). – №
913128/SU; Заявлено 20.02.91; Опубл. 30.09.96, Бюл. № 3.
17. Пат. 18704 УКРАЇНА, МКІ G 01 K 11/12. Пристрій для вимірювання
температури / М.М. Чернякова, Ю.Ю. Войцехов, Ю.Р. Войцехов (УК-
РАЇНА). – № 4786525/SU; Заявлено 26.01.90; Опубл. 25.12.97, Бюл. №
6.
18. Пат. 25555 УКРАЇНА, МКІ G 01 K 7/00. Оптоволоконний давач тем-
ператури / Я.В. Бобицький, В.М. Фітьо, С.Ю. Лебідь (УКРАЇНА). –
№97084136; Заявлено 06.08.97; Опубл. 25.12.98, Бюл. № 6.
19. А.с. 1747947 СССР, МКИ G01К 7/32. Пьезокварцевый преобразова-
тель температуры /В.А.Шевелев, В.Ф.Солодовников, М.И.Чебан,
А.А.Леонов, В.С. Москалев (СССР). – №4700220/10; Заявлено
05.06.89; Опубл.15.07.92, Бюл.№26.
20. А.с. 1580183 СССР, МКИ G 01 К 7/32. Пьезокварцевый преобразова-
тель температуры в частоту / В.Я. Баржин, В.Ф. Солодовников, В.А.
Шевелев, Ю.С. Шмалий (СССР). – № 3804289/24 – 10; Заявлено
23.10.84; Опубл. 23.07.90, Бюл. № 27.
21. А.с. 1654680 СССР, МКИ G 01 К 7/32. Устройство для измерения тем-
пературы / В.Я. Баржин, А.А. Зеленский, В.В. Малов, В.Ф. Солодов-
ников, В.А. Шевелев (СССР). – № 3815770/10; Заявлено 27.11.84;
Опубл. 07.06.91, Бюл. № 21.
22. А.с. 1610310 СССР, МКИ G 01 К 7/32. Устройство для измерения тем-
пературы / В.С. Москалев, А.А. Леонов (СССР). – № 4674596/24 – 10;
Заявлено 06.04.89; Опубл.30.11.90, Бюл. № 44.
23. Пат. 34184 УКРАЇНА, МКІ G 01 К 7/22. Вимірювач температури / О.В.
Бойко, О.З. Готра, З.Ю. Готра, І.Є. Лопатинський (УКРАЇНА). – №
99063236; Заявлено 11.06.99; Опубл. 15.02. 2001, Бюл. № 1.
24. Пат. 39534 УКРАЇНА, МКІ G 01 К 7/16. Пристрій для виміру темпера-
тури / В.І. Локарєв, Я.Б. Волянська (УКРАЇНА). – № 2000105619; За-
явлено 03.10.2000; Опубл. 15.06.2001, Бюл. № 5.
25. А.с. 1597596 СССР, МКИ G 01 К 7/00. Электронный термодатчик /
А.А. Соломашкин, П.М. Черейский (СССР). – № 4365715/24 – 10; За-
явлено 21.01.88; Опубл. 07.10.90, Бюл. № 37.
26. А.с. 1737280 СССР, МКИ G 01 К 7/00. Устройство для измерения тем-
пературы / Е.Д. Попов (СССР). – № 4844963/10; Заявлено 06.04.90;
Опубл. 30.05.92, Бюл. № 20.
27. А.с. 1636700 СССР, МКИ G01 К 11/22. Дифференциальный термодат-
чик / Я.Е. Мельцер, В.А. Елагин, Г.М. Габрелян, Л.Т. Рассошенко
(СССР). – № 4602633/10; Заявлено 02.08.88; Опубл. 23.03.91, Бюл. №
11.
155
28. А.с. 1668874 СССР, МКИ G 01 К 7/22. Способ преобразования темпе-
ратуры в частоту / Л.А. Демидов (СССР). – № 4633538/10; Заявлено
12.01.89; Опубл. 07.08.91, Бюл. № 29.
29. А.с. 1566229 СССР, МКИ G 01 К 7/22. Способ преобразования темпе-
ратуры в частоту / Л.А. Демидов (СССР). – № 4296700/24 – 10; Заяв-
лено 18.08.87; Опубл. 23.05.90, Бюл. № 19.
30. А.с. 1352245 СССР, МКИ G 01 К 7/14. Преобразователь температуры в
частоту / Х.Х. Девликамов, А.Н. Комов, О.К. Переверзеева, В.И. Че-
пурнов (СССР). – № 3990556/24 – 10; Заявлено 17.12.85; Опубл.
15.11.87, Бюл. № 42.
31. А.с. 1538061 СССР, МКИ G 01 К 7/14. Преобразователь температуры в
частоту / В.В. Попивненко (СССР). – № 4274884/24 – 10; Заявлено
01.07.87; Опубл. 23.01.90, Бюл. № 3.
32. А.с. 1712796 СССР, МКИ G 01 К 7/00. Устройство для измерения тем-
пературы / Ю.Г. Камчатный, А.Ф. Лебеда, М.И. Еремеева, Н.С. Остро-
ухова (СССР). – № 4800158/10; Заявлено 22.01.90; Опубл. 15.02.92,
Бюл. № 6.
33. А.с. 1714388 СССР, МКИ G 01 К 7/00. Цифровой медицинский термо-
метр / С.С. Манучарян, Ф.Г. Гарунц, В.М. Арутюнян, Р.П. Каспаров
(СССР). – № 4721640/31 – 10; Заявлено 31.05.89; Опубл. 23.02.92, Бюл.
№ 7.
34. А.с. 1589078 СССР, МКИ G 01 К 7/00. Устройство для измерения тем-
пературы / Б.В. Дунец, Е.С. Полищук, Р.Ю. Тарнавская, Л.М. Тищенко
(СССР). – № 4489422/24 – 10; Заявлено 03.10.89; Опубл. 30.08.90, Бюл.
№ 32.
35. А.с. 1714390 СССР, МКИ G 01 К 7/14. Датчик температуры / А.С. Ще-
голеватых (СССР). – № 4780643/10; Заявлено 10.01.90; Опубл. 23. 02.
92, Бюл. № 7.
36. А.с. 1760376 СССР, МКИ G 01 К 7/00, 7/22. Термочувствительный
элемент / В.И. Гречан, В.Ф. Мусарова (СССР). – № 4886730/10; Заяв-
лено 23.10.90; Опубл. 07.09.92, Бюл. № 33.
37. А.с. 1740996 СССР, МКИ G 01 К 7/02. Полупроводниковый датчик
температуры / А.В. Чурбаков (СССР). – № 4070710/63; Заявлено
04.04.86; Опубл. 15.06.92, Бюл. № 22.
38. А.с. 1534334 СССР, МКИ G 01 К 7/00. Устройство для многоточечно-
го измерения температуры / А.С. Щеголеватых, А.М. Бритиков
(СССР). –№ 4327373/24 – 10; Заявлено 17.11.87; Опубл. 07.01.90, Бюл.
№ 1.
39. Пат. 10540 УКРАЇНА, МКІ G 01 К 7/22. Спосіб вимірювання темпера-
тури та пристрій для його здійснення / Ю.О. Скрипник, О.В. Іванчен-
ко, А.М. Стретович, М.П. Наконечний (УКРАЇНА). – № 93005065; За-
явлено 21.10.93; Опубл. 25.12.96, Бюл. № 4.
156
40. Пат. 6812 УКРАЇНА, МКІ G 01 К 7/00, 7/16. Пристрій для дистанцій-
ного вимірювання температури / В.І. Аніскін (RU), В.В. Сидоренко,
В.М. Поліщук, І.В. Чечулін, І.Я. Дедішин, Є.А. Півнев (УКРАЇНА). –
№ 4945542/10; Заявлено 17.06.91, SU; Опубл. 29.12.94, Бюл. № 8 – 1.
41. А.с. 1597598 СССР, МКИ G 01 К 7/00. Преобразователь температуры в
напряжение / Н.И. Грибок, В.И. Зорий, В.М. Макух, С.Г. Романюк,
С.А. Савенко, Ю.В. Сасин (СССР). – № 4450965/24 – 10; Заявлено
04.07.88; Опубл. 07.10.90, Бюл. № 37.
42. А.с. 1677535 СССР, МКИ G 01 К 7/00. Устройство для измерения тем-
пературы / Ю.В. Поздняков, А.Л. Хлюнев, А.М. Золотарев (СССР). –
№ 4691419/10; Заявлено 11.05.89; Опубл. 15.09.91, Бюл. № 34.
43. А.с. 1682825 СССР, МКИ G 01 К 7/00. Цифровой термометр / Г.Ф.
Байдиков, В.Н. Курдюков (СССР). – № 4645877/10; Заявлено 03.02.89;
Опубл. 07.10.91, Бюл. № 37.
44. А.с. 1471085 СССР, МКИ G 01 К 7/00. Измеритель температуры / Т.А.
Мустафин (СССР). – №4181170/24–10; Заявлено 14.01.87; Опубл.
07.04.89, Бюл. № 13.
45. А.с. 1597595 СССР, МКИ G 01 К 7/00. Устройство для многоточечно-
го измерения температуры / В.Ю. Воробкевич, В.Т. Якимец (СССР). –
№ 4360217/24 - 10; Заявлено 11.01.88; Опубл. 07.10.90, Бюл. № 37.
46. А.с. 1599674 СССР, МКИ G 01 К 7/00, 7/22. Устройство для измерения
температуры / А.Л. Белоусов (СССР). – № 4621723/24 – 10; Заявлено
19.12.88; Опубл. 15.10.90, Бюл. № 38.
47. А.с. 1268968 СССР, МКИ G 01 К 7/00. Устройство для измерения тем-
пературы / С.К. Никифоров, В.Т. Стадник, Е.И. Фандеев, В.М. Горба-
чев, В.П. Данилов, В.П. Малов (СССР). – № 3778123/24 – 10; Заявлено
03.08.84; Опубл. 07.11.86, Бюл. № 41.
48. А.с. 1700391 СССР, МКИ G 01 К 7/00. Устройство для измерения тем-
пературы / Р.А. Азаров, Б.И. Подлепецкий, С.В. Фоменко (СССР). – №
4749623/10; Заявлено 16.10.89; Опубл. 23.12.91, Бюл. № 47.
49. А.с. 1543251 СССР, МКИ G 01 К 7/02. Устройство для измерения тем-
пературы / В.С. Дворников, А.С. Дворников, Н.Д. Пискунов, А.И. Че-
пуров (СССР). – № 4316827/24 – 10; Заявлено 31.08.87; Опубл.
15.02.90, Бюл. № 6.
50. А.с. 1679220 СССР, МКИ G 01 К 7/00. Цифровой термометр / В.И.
Гошовский, Я.В. Борис, Ю.Н. Гордийчук (СССР). – № 4721594/10; За-
явлено 15.06.89; Опубл. 23.09.91, Бюл. № 35.
51. А.с. 1642267 СССР, МКИ G 01 К 7/00, 7/16. Устройство для контроля
температуры / С.Л. Панасюк (СССР). – № 4440763/10; Заявлено
15.06.88; Опубл. 15.04. 91, Бюл. № 14.
52. А.с. 1557458 СССР, МКИ G 01 К 7/00, 7/24. Устройство для измерения
температуры / Р.Г. Симонян, Э.Г. Везирян (СССР). – № 3511324/24 –
10; Заявлено 24.11.82; Опубл. 15.04.90, Бюл. № 14.
157
53. Негоденко О.Н., Мардамшин Ю.П. Микроэлектронные датчики с час-
тотным выходом на основе аналогов негатронов // Технология и кон-
струирование в электронной аппаратуре. – 2000. – № 5 – 6.
– С. 19 – 22.
54. Осадчук В.С., Яремчук В.Ф., Кравчук Н.С., Носолюк В.М. Досліджен-
ня температурної залежності імпедансу польових транзисторів // Віс-
ник ВПІ. – 1996. – №4. – С. 65–68.
55. Осадчук В.С., Одобецкий С.И., Яремчук В.Ф. Исследование темпера-
турной зависимости импеданса МДН-транзистора // Материалы 2 Все-
союзн. конф. “Оптоэлектронные методы и средства обработки изо-
бражений”(Винница-Тбилиси). – 1987. – С. 427– 430.
56. Осадчук В.С., Яремчук В.Ф., Кравчук Н.С. Дослідження впливу тем-
ператури на інерційні властивості “електронно-діркової плазми” в ка-
налі МДН-структури // Вісник ВПІ. – 1998. – №4. – С. 82–85.
57. Осадчук B.C. Индуктивный эффект в полупроводниковых приборах. -
К.: Вища школа, 1987. – 155 с.
58. Осадчук В.С., Осадчук О.В. Реактивні властивості транзисторів і тран-
зисторних схем. –Вінниця: «Універсум-Вінниця», 1999. – 275 с.
59. Осадчук В.С., Осадчук А.В. Исследование термореактивного эффекта
биполярных структур и его использование для создания микроэлек-
тронных частотных преобразователей температуры // Elektronika ir
Elektrotechnika. – Kaunas. –2002. –№2(37). –Р.35–39.
60. Осадчук В.С., Яремчук В.Ф., Кравчук Н.С., Носолюк В.М. Контроль-
но-вимірні перетворювачі на основі двозатворного МДН-транзистора
// Матеріали 3-ї науково-технічної конференції. – Хмельницький,
1995. – С. 53.
61. Адирович А.И., Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Токи
двойной инжекции в полупроводниках / Под ред. Е.И. Гальперина. –
М.: Сов радио, 1978. – 320 с.
62. Бормонтов Е.Н., Котов С.В., Лукин С.В., Головин С.В. Исследование
поверхностных состояний в МДП-структурах методом двухтемпера-
турной полной проводимости // ФТП. – 1995. – Т. 29, Вып. 4. – С. 644–
653.
63. Иванов П.А., Пантелеев В.Н., Самсонова Т.Г., Челноков В.Е. Исследо-
вание поверхностных состояний на границе раздела Si-SiO путём ана-
лиза входной комплексной проводимости МОП-структуры в широком
температурном интервале // ФТП. – 1995. – Т. 29, Вып. 2.
– С. 271–277.
64. Веденеев А.С., Гайворонский А.Г., Ждан А.Г. Определение электрон-
ных характеристик границ раздела полупроводник-диэлектрик по по-
левым зависимостям электропроводимости и ёмкости инверсных ка-
налов. // ФТП. – 1992. – Т. 26, Вып. 12. – С. 2017– 2023.
158
65. Овсюк В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями
пространственного заряда. – Новосибирск: Наука, 1984. – 154 с.
66. Jager D., Heidemann R., Kassing R. Influence of Carrier Transit Time on
Small-Signal Admittance of SCLC Diodes // Physica Status Solidi. – 1977.
– Vol. 42. – P. 657– 665.
67. G.T.Wright. Small-Signal characteristics // Solid State Electroniks. – 1973.
– Vol. 16, – №8. – P. 903– 912.
68. Одобецкий С.И., Осадчук В.С. Современное состояние и перспективы
развития полупроводниковых частотных датчиков неэлектрических
величин. Часть 1. Теоретические предпосылки использования реак-
тивных свойств полупроводниковых структур в контрольно-
измерительной технике / Винницкий политехн. ин-т. – Винница, 1988.
– 20 с. – Рус. – Деп. в УкрНИИНТИ 05. 01. 88, – № 70 – Ук88.
69. Осадчук О.В. Мікроелектронні частотні перетворювачі на основі тран-
зисторних структур з від’ємним опором. –Вінниця: «Універсум-
Вінниця», 2000. – 303 с.
70. Справочник по радиоизмерительным приборам. Под ред. В.С. Насоно-
ва. – Т. 2. – М.: Сов. Радио, 1977. – 272 с.
71. Ржевкин К.С. Физические принципы действия полупроводниковых
приборов. – Изд- во Мос. Ун- та, 1986. – 257 с.
72. Осадчук В.С., Осадчук О.В., Вербицький В.Г. Температурні та оптичні
мікроелектронні частотні перетворювачі. – Вінниця: УНІВЕРСУМ-
Вінниця, 2001. – 195 с.
73. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. –
М.: Радио и связь, 1990. –264 с.
74. Соклоф С. Аналоговые интегральные схемы. – М.: Мир, 1988. – 583 с.
75. Кремневые планарные транзисторы / Колесников В.Г., Никишин В.И.,
Сыноров В.Ф. и др. / Под ред. Я.А. Федотова. – М.: Сов. радио. – 1973.
– 336 с.
76. Киреев П.С. Физика полупроводников. –М.: Высшая школа, 1975. –
583 с.
77. Осадчук А.В. Фоточувствительные преобразователи на основе струк-
тур с отрицательным сопротивлением. –Винница: Континент, 1998. –
130 с.
78. Осадчук В.С., Яремчук В.Ф., Кравчук Н.С., Шит В.М. Дослідження
реактивних властивостей польового транзистора // Вісник ВПІ. – 1999.
– №5. – С. 108–112.
79. Кобболд Р. Теория и применение полевых транзисторов. – Ленинград:
Энергия. Ленинградское отделение. – 1975. – 304 с.
80. Носов Ю.Р. и др. Математические модели элементов интегральной
электроники. – М.: Сов. Радио. – 1976. – 305 с.
81. Чахмасазян Е.А. и др. Машинный анализ интегральных схем. – М.:
Сов. Радио. – 1974. – 187 с.
159
82. Каяцкас А.А. Основы радиоэлектроники. – М.: Высшая школа. – 1988.
– 464 с.
83. Перхач В.С. Теоретична електротехніка. –К.: Вища школа, 1992. –
439 с.
84. Осадчук В.С., Осадчук О.В., Яровенко А.Г. Дослідження теплових
режимів мікроелектронного частотного перетворювача магнітного по-
ля // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних проце-
сах. – 2000. – №3. – С. 47–51.
85. Осадчук О.В. Математична модель теплових режимів мікроелектрон-
них частотних перетворювачів // Вісник Вінницького політехнічного
інституту. – 2001. – №4. – С. 90–94.
86. Осадчук О.В. Математична модель частотного перетворювача темпе-
ратури на основі біполярної транзисторної структури з від’ємним опо-
ром // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних
процесах. – 1999. – №4. – С. 49–53.
87. Осадчук О.В. Математична модель температурного перетворювача на
основі транзисторної структури з від’ємним опором // Вісник Вінни-
цького політехнічного інституту. – 1999. – №3. – С. 81–86.
88. Осадчук В.С., Осадчук А.В. Математическая модель частотного пре-
образователя температуры // Elektronika ir Elektrotechnika. – 2000.
–№3(26). – Р.33–38.
89. Буджак Я.С. До питання про новий метод в теорії кінетичних власти-
востей кристалів // Вісник національного університету “Львівська по-
літехніка”. Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. –2001.
– №427. – С. 10–13.
90. Аронов В.Л., Федотов Я.А. Испытание и исследование полупроводни-
ковых приборов. – М.: Высш. школа, 1975. – 325 с.
91. Валитов Р.А., Сретенский В.Н. Радиотехнические измерения. – М.:
Сов. Радио, 1970. – 712 с.
92. Адирович Э.И. Измерение малых времён жизни по фазовой характе-
ристике коэффициента передачи напряжения в цепи с р-n переходом //
Физика твёрдого тела. – 1962. – Т. 4, Вып. 7. – С. 1853 – 1862.
93. Измерения разности фаз в радиотехнике / Бова П.Т., Гойжевский В.
А., Маевский С.М., Молебный В.В. – К.: Вища школа, 1972. – 231 с.
94. Яремчук В.Ф. Измерительные преобразователи светового потока и
температуры на основе фотоиндуктивного эффекта в полупроводни-
ковых приборах: Дис... канд. техн. наук: 05.11.13. – Винница, 1990. –
186 с.
95. Трутко А.Ф. Методы расчёта транзисторов. – М.: Энергия, 1971.
– 272 с.
96. Кудряшова Ж.Ф., Рабинович С.Г. Методы обработки, наблюдения при
косвенных измерениях // Труды метрологических институтов СССР. –
1975. – Вып. 75. – С. 172 – 232.
160
97. Потемкин В.Г. Система инженерных и научных расчетов Matlab 5.x. В
2т. – Том 1. –М.: Диалог-МИФИ, 1999. – 366 с.
98. Кудряшова Ж.Ф., Рабинович С. Г., Резник К. А. Рекомендации по ме-
тодам обработки наблюдений при прямых измерениях // Труды метро-
логических институтов СССР. – 1972. – 134/194. – С. 1–116.
99. Одобецкий С.И. Измерительные преобразователи оптического излу-
чения и температуры на основе реактивных свойств полупроводнико-
вых структур: Дис...канд. техн. наук: 05.11.13. – Винница, 1989. – 190с
100. Сыноров В.Ф., Чистов Ю.С. Физика МДП-структур. – Воронеж: Изд-
во Воронежского ун-та, 1989. – 230 с.
101. Иванов П.А., Пантелеев В.Н., Самсонова Т.Г., Челноков В.Е. Исследо-
вание поверхностных состояний на границе раздела Si-SiO путём ана-
лиза входной комплексной проводимости МОП-структуры в широком
температурном интервале // ФТП. – 1995. – Т. 29, Вып. 2. – С. 271–277.
102. Осадчук В.С., Яремчук В.Ф., Кравчук Н.С. Дослідження поверхневих
станів на межі SiO2-Si, легованого бором // Матеріали міжнародного
симпозіуму “Наука і підприємництво”. – Вінниця-Львів. – 1997. –
С.98.
103. Новицкий П.В., Кнорринг В.Г., Гутников В.С. Цифровые приборы с
частотными датчиками. – Л.: Энергия, 1970. – 424 с.
104. Арш Э.И. Автогенераторные методы и средства измерений. – М.:
Машиностроение, 1979. – 56 с.
105. Williamson T. Resonanz–Mebwert-Umsetzer vereinfachen
analogmessungen // Electronik. – 1987. – Vol. 36, №1. – P. 65 – 71.
106. Осадчук В.С., Осадчук О.В., Крилик Л.В. Сенсори вологості.
–Вінниця: УНІВЕРСУМ-Вінниця, 2003. –208 с.
107. Осадчук В.С., Осадчук О.В. Сенсори тиску і магнітного поля.
–Вінниця: УНІВЕРСУМ-Вінниця, 2005. –207 с.
108. Пат. №40236 А України, МКИ G01K 7/01. Мікроелектронний вимірю-
вач температури / Осадчук В.С., Осадчук О.В. – №2000106038; Заявл.
26.10.2000; Опубл. 16.07.2001. Бюл. №6. – 2 с.
109. Пат. №33405 А України, МКИ G01K 7/00. Напівпровідниковий вимі-
рювач температури / Осадчук В.С., Осадчук О.В., Кравчук Н.С. –
№99020936; Заявл. 18.02.1999; Опубл. 15.02.2001. Бюл. №1. – 2 с.
110. Пат. №33404 А України, МКИ G01K 7/00. Пристрій для вимірювання
температури / Осадчук В.С., Осадчук О.В., Кравчук Н.С. –
№99020935; Заявл. 18.02.1999; Опубл. 15.02.2001. Бюл. №1. – 2 с.
111. Пат. №40299 А України, МКИ G01K 7/00. Мікроелектронний пристрій
виміру температури / Осадчук В.С., Осадчук О.В. – №2000116706;
Заявл. 27.11.2000; Опубл. 16.07.2001. Бюл. №6. – 3 с.
112. Пат. №40298 А України, МКИ Н03В 7/00. Генератор електричних
коливань / Осадчук В.С., Осадчук О.В. – №2000116705; Заявлено
27.11.2000; Опубл. 16.07.2001. Бюл. №6. – 3 с.
161
113. Пат. №41665 А України, МКИ Н03С 7/00. Мікроелектронний генера-
тор електричних коливань / Осадчук В.С., Осадчук О.В. –
№2001010067; Заявлено 03.01.2001; Опубл. 17.09.2001. Бюл. №8. – 2 с.
114. Осадчук В.С., Осадчук А.В. Методы построения микроэлектронных
радиоизмерительных преобразователей с частотным принципом рабо-
ты // Технология и конструирование в электронной аппаратуре.
– 2004, – №3. – С.26–33.
115. Antognetti P., Massobrio G. Semiconductor devices modeling with SPICE.
Ncgraw-Hill, Inc. –New York, 1988. –391 p.
116. Чураков А.Я., Овсянников В. В. Датчики температуры c аналогом
лямбда-диода // Электроника. – 1989. – №7. – С.23 – 25.
117. Ферри Д., Эйкерс Л., Гринич Э. Электроника ультрабольших инте-
гральных схем: Пер. с англ. – М.: Мир, 1991. –327 с.
118. PSPICE User’s guide. MicroSim Corporation. La Cadena Drive, Laguna
Hills, 1989. –450 p.
119. Разевиг В.Д. Применение программ P-CAD и Pspice для схемотехни-
ческого моделирования на ПЭВМ. Выпуск 2. Модели компонент
аналоговых устройств. –М.: Радио и связь, 1992. –72 с.
120. Разевиг В.Д. Применение программ P-CAD и Pspice для схемотехни-
ческого моделирования на ПЭВМ. Выпуск 3. Моделирование анало-
говых устройств. –М.: Радио и связь, 1992. –120 с.
121. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. –
М.: Радио и связь, 1991. –528 с.
122. Виглеб Г. Датчики: Пер. с нем. – М.: Мир, 1989. – 196 с.
123. Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем. –М.: Мир, 1989.
–630 с.
124. Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и
микропроцессоров. –М.: Радио и связь, 1987. – 464 с.
125. Березин А.С., Мочалкина О.Р. Технология и конструирование инте-
гральных микросхем. – М.: Радио и связь, 1992. –320 с.
126. Осадчук О. В. Інтегральний частотний перетворювач температури з
активним індуктивним елементом // Вимірювальна та обчислювальна
техніка в технологічних процесах. –2001. –№1. – С.75–78.
127. Электрические измерения. Под редакцией Е.Г. Шрамкова. –М.: Выс-
шая школа, 1972. –518 с.
128. Мирский Г.Я. Электронные измерения. –М.: Радио и связь, 1986.
– 439 с.
129. Анализ измерительных информационных систем / Маликов В. Т., Ду-
бовой В.М., Кветный Р.Н., Исматуллаев П.Р. –Ташкент: Фан, 1984.
– 176 с.
130. Кузьмин И.В. Оценка эффективности и оптимизации АКСУ. –М.: Со-
ветское радио, 1971. – 294 с.
131. Байковский В.М., Кошуба Т.В. Некоторые аспекты информационного
162
обеспечения управления новой техникой // Сб. «Методические мате-
риалы по подготовке докладов о важнейших достижениях приборо-
строения». Из-во ЦНИИТЭИ приборостроения. –1977. – С.1–38.
132. Мальков В.М., Лукьянова М.Н. Микроэлектронные датчики и про-
блемы их стандартизации // Микроэлектронная промышленность.
Микроэлектроника и полупроводниковые приборы. –1994. –№2.
– С.42–49.
133. Пат. №2122713 Российской Федерации, МКИ G01K 7/01. Полупро-
водниковый датчик температуры / Осадчук В.С., Осадчук Е.В., Осад-
чук А.В. – №95114270/28; Заявлено 08.08.95; Опубл. 27.11.98. Бюл.
№33. – 3 с.
134. Валитов Р.А., Сретинский В.Н. Радиотехнические измерения. –М.:
Советское радио, 1970. –711 с.
135. Стильбаньс Л.С. Физика полупроводников. –М.: Советское радио,
1967. – 451 с.
136. А.С. СССР №1675908. Кл. G 06 F 15/46. Способ теплового контроля
качества объёмных интегральных схем: / Осадчук В.С., Паламарчук
Е.А., Стронский В.В., Яровенко А.Г., 1991. Бюл. №33.
137. Бронштейн И.Н., Семендяев К.А. Справочник по математике. –М.:
Наука, 1981. –718 с.
138. Осадчук В. С., Осадчук О. В. Рекомендації по проектуванню радіови-
мірювальних перетворювачів температури // Матеріали VIIІ МНТК
“Контроль і управління в складних системах” (КУСС-2005). –Вінниця,
2005. –С. 67.
Обкладинка для Мікроелектронні сенсори температури з частотним виходом
Опубліковані
May 21, 2018
Категорії